ڈسک وصول کنندہ

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor، اعلی درجے کی سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل کے لیے اعلیٰ کارکردگی کا حامل پروڈکٹ۔ ہمارے گریفائٹ ڈسک سسیپٹر کو صنعت کی متقاضی ضروریات کو پورا کرنے اور غیر معمولی کارکردگی اور وشوسنییتا فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔

یہ Graphite Disc Susceptor AIX G5 پلینٹری ری ایکٹر پلیٹ فارم کے لیے OEM ہے۔

GaN-on-Si MOCVD LED epitaxial پیداوار کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، اور Aixtron G5 ری ایکٹر MOCVD پلیٹ فارم کی پیداوار اور یکسانیت کو بہتر بناتا ہے۔ پانچ 200 ملی میٹر ویفرز پر مکمل طور پر گھمایا ہوا سڈول یکساں پیٹرن، ایک معیاری موٹائی کے سلیکان سبسٹریٹ کا استعمال کرتے ہوئے اور ویفر موڑنے والے رویے کو کنٹرول کرنے سے وہ رسمی شکل اختیار کر لیتا ہے جس کی انہیں سلکان فیبریکیشن کے لیے ضرورت تھی۔

GaN-on-Si MOCVD کے لیے ویٹیک سیمی کنڈکٹر کا ہائی پیوریٹی گریفائٹ ڈسک سسیپٹر، جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل کے لیے ایک قابل اعتماد اور سرمایہ کاری مؤثر حل۔

ہمارا ہائی پیوریٹی گریفائٹ ڈسک سسپٹر خاص طور پر GaN-on-Si MOCVD عمل کی ضروریات کو پورا کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ اس کے غیر معمولی تھرمل استحکام اور گرمی کی مزاحمت کے ساتھ، یہ عام طور پر 800 ° C سے 1100 ° C تک کے درجہ حرارت کے حالات کا مقابلہ کر سکتا ہے، جمع کرنے کے عمل کے دوران بہترین کارکردگی کو یقینی بناتا ہے۔

ہمارے ڈسک سسپٹر میں استعمال ہونے والا اعلیٰ پاکیزگی والا گریفائٹ مواد بہترین کیمیائی مزاحمت فراہم کرتا ہے، جو اسے امونیا (NH3) اور عام طور پر GaN-on-Si MOCVD میں استعمال ہونے والے نامیاتی دھات کے پیش خیمہ کے ساتھ مطابقت رکھتا ہے۔ یہ اضافی SiC کوٹنگز کی ضرورت کو ختم کرتا ہے، کارکردگی پر سمجھوتہ کیے بغیر پیداواری لاگت کو کم کرتا ہے۔

ویٹیک سیمی کنڈکٹر کا اعلیٰ پیوریٹی گریفائٹ ڈسک سسیپٹر معیار پر سمجھوتہ کیے بغیر ایک سستا حل پیش کرتا ہے۔ اس کی وشوسنییتا، پائیداری، اور GaN-on-Si MOCVD عمل کے ساتھ مطابقت اسے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچررز کے لیے ترجیحی انتخاب بناتی ہے۔ آپ کی GaN-on-Si MOCVD مینوفیکچرنگ ضروریات کے لیے اعلیٰ کارکردگی والے گریفائٹ ڈسک سسیپٹرز فراہم کرنے کے لیے Vetek Semiconductor پر بھروسہ کریں۔

پیداوار کی دکانیں:

سیمی کنڈکٹر چپ ایپیٹیکسی انڈسٹری چین کا جائزہ: