کرسٹل کی ترقی کے لیے ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت ٹیوب

VeTek سیمی کنڈکٹر چین میں کرسٹل گروتھ مینوفیکچرر اور اختراع کے لیے ایک سرکردہ ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت ٹیوب ہے۔ ہم کئی سالوں سے سیرامک کوٹنگ میں مہارت حاصل کر رہے ہیں۔ ہماری مصنوعات میں اعلی پاکیزگی اور اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ہے۔ ہم آپ کے طویل مدتی پارٹنر بننے کے منتظر ہیں۔ چین میں۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

آپ VeTek سیمی کنڈکٹر سے کرسٹل گروتھ کے لیے حسب ضرورت ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت ٹیوب خریدنے کے لیے یقین دہانی کر سکتے ہیں۔ ہم آپ کے ساتھ تعاون کرنے کے منتظر ہیں، اگر آپ مزید جاننا چاہتے ہیں، تو آپ ابھی ہم سے مشورہ کر سکتے ہیں، ہم آپ کو وقت پر جواب دیں گے!

VeTek سیمی کنڈکٹر کرسٹل گروتھ کے لیے ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹڈ ٹیوب پیش کرتا ہے جو خاص طور پر فزیکل ویپر ٹرانسپورٹ (PVT) طریقہ استعمال کرتے ہوئے SiC کرسٹل گروتھ کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ VeTek سیمی کنڈکٹر کی گریفائٹ ٹیوبیں CVD ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ کے ساتھ اعلیٰ پاکیزگی کی خصوصیت رکھتی ہیں، جو SiC کرسٹل کی ترقی میں بہترین کارکردگی کو یقینی بناتی ہیں۔ SiC کرسٹل، جنہیں تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹرز کے نام سے جانا جاتا ہے، مختلف ایپلی کیشنز میں بے پناہ صلاحیت رکھتے ہیں۔ کرسٹل گروتھ کے لیے ہماری ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت ٹیوب کو استعمال کرکے، محققین اور صنعت کے پیشہ ور افراد مؤثر طریقے سے SiC کی ترقی کو بہتر بنا سکتے ہیں اور اعلیٰ معیار کے SiC کرسٹل باؤلز تیار کر سکتے ہیں۔ چاہے آپ تحقیق سے وابستہ ہوں یا صنعتی پیداوار، ہماری مصنوعات موثر SiC کرسٹل نمو کے لیے قابل اعتماد حل فراہم کرتی ہیں۔

TaC کوٹیڈ گریفائٹ ٹیوب کے علاوہ، VeTek سیمی کنڈکٹر TaC کوٹیڈ رِنگز، TaC کوٹڈ کروسیبل، TaC کوٹڈ پورس گریفائٹ، TaC کوٹڈ گریفائٹ سسیپٹر، TaC کوٹیڈ گائیڈ رِنگ، TaC ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹیڈ پلیٹ، TaC کوٹنگ رنگ، TaC کوٹنگ، کورائٹ کوٹنگ سی بھی فراہم کرتا ہے۔ نیچے کی طرح کرسٹل نمو فرنس کے لیے حصہ:

PVT طریقہ SiC کرسٹل گروتھ

کرسٹل گروتھ کے لیے ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت ٹیوب کا پروڈکٹ پیرامیٹر

ٹی اے سی کوٹنگ کی جسمانی خصوصیات
کثافت	14.3 (g/cm³)
مخصوص اخراج	0.3
تھرمل توسیع گتانک	6.3 10-6/K
سختی (HK)	2000 HK
مزاحمت	1×10-5 اوہم*سینٹی میٹر
تھرمل استحکام	<2500℃
گریفائٹ سائز میں تبدیلی	-10~-20um
کوٹنگ کی موٹائی	≥20um عام قدر (35um±10um)