SiC ایپی قبول کنندہ پر GaN
  • SiC ایپی قبول کنندہ پر GaNSiC ایپی قبول کنندہ پر GaN

SiC ایپی قبول کنندہ پر GaN

VeTek Semiconductor چین میں SiC epi susceptor، CVD SiC کوٹنگ، اور CVD TAC کوٹنگ گریفائٹ سسپٹر پر GaN کا ایک پیشہ ور صنعت کار ہے۔ ان میں سے، GaN on SiC epi susceptor سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں اہم کردار ادا کرتا ہے۔ اپنی بہترین تھرمل چالکتا، اعلی درجہ حرارت پروسیسنگ کی صلاحیت اور کیمیائی استحکام کے ذریعے، یہ GaN ایپیٹیکسیل ترقی کے عمل کی اعلی کارکردگی اور مادی معیار کو یقینی بناتا ہے۔ ہم خلوص دل سے آپ کی مزید مشاورت کے منتظر ہیں۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

ایک پیشہ ور کے طور پرسیمی کنڈکٹر کارخانہ دارچین میں،VeTek سیمی کنڈکٹر SiC ایپی قبول کنندہ پر GaNکی تیاری کے عمل میں ایک اہم جزو ہے۔SiC پر GaNآلات، اور اس کی کارکردگی براہ راست epitaxial پرت کے معیار کو متاثر کرتی ہے۔ پاور الیکٹرانکس، آر ایف ڈیوائسز اور دیگر شعبوں میں SiC ڈیوائسز پر GaN کے وسیع پیمانے پر اطلاق کے ساتھ، ضروریاتSiC ایپی وصول کنندہاونچا اور بلند ہو جائے گا۔ VeTek Semiconductor سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے لیے حتمی ٹیکنالوجی اور مصنوعات کے حل فراہم کرنے پر توجہ مرکوز کرتا ہے، اور آپ کی مشاورت کا خیرمقدم کرتا ہے۔


عام طور پر، کا کردارSiC ایپی قبول کنندہ پر GaNسیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں مندرجہ ذیل ہے:


اعلی درجہ حرارت پروسیسنگ کی صلاحیت: GaN on SiC epi susceptor (GaN کی بنیاد پر سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل گروتھ ڈسک) بنیادی طور پر گیلیم نائٹرائڈ (GaN) ایپیٹیکسیل گروتھ کے عمل میں استعمال ہوتا ہے، خاص طور پر اعلی درجہ حرارت والے ماحول میں۔ یہ اپیٹیکسیل گروتھ ڈسک انتہائی اعلی پروسیسنگ درجہ حرارت کو برداشت کر سکتی ہے، عام طور پر 1000 ° C اور 1500 ° C کے درمیان، یہ GaN مواد کی اپیٹیکسیل نمو اور سلکان کاربائیڈ (SiC) سبسٹریٹس کی پروسیسنگ کے لیے موزوں بناتی ہے۔


بہترین تھرمل چالکتا: SiC epi susceptor کو حرارتی ذریعہ سے پیدا ہونے والی حرارت کو یکساں طور پر SIC سبسٹریٹ میں منتقل کرنے کے لیے اچھی تھرمل چالکتا کی ضرورت ہوتی ہے تاکہ نمو کے عمل کے دوران درجہ حرارت کی یکسانیت کو یقینی بنایا جا سکے۔ سلیکون کاربائیڈ میں انتہائی اعلی تھرمل چالکتا ہے (تقریباً 120-150 W/mK)، اور SiC ایپی سسپٹر پر GaN روایتی مواد جیسے سلیکون سے زیادہ مؤثر طریقے سے حرارت چلا سکتا ہے۔ یہ خصوصیت گیلیم نائٹرائڈ ایپیٹیکسیل ترقی کے عمل میں بہت اہم ہے کیونکہ یہ سبسٹریٹ کے درجہ حرارت کی یکسانیت کو برقرار رکھنے میں مدد کرتا ہے، اس طرح فلم کے معیار اور مستقل مزاجی کو بہتر بناتا ہے۔


آلودگی کو روکیں۔: SiC epi susceptor پر GaN کے مواد اور سطح کے علاج کے عمل کو ترقی کے ماحول کی آلودگی کو روکنے اور epitaxial تہہ میں نجاست کے داخل ہونے سے بچنے کے قابل ہونا چاہیے۔


کے ایک پیشہ ور صنعت کار کے طور پرSiC ایپی قبول کنندہ پر GaN, غیر محفوظ گریفائٹاورٹی اے سی کوٹنگ پلیٹچین میں، VeTek Semiconductor ہمیشہ اپنی مرضی کے مطابق مصنوعات کی خدمات فراہم کرنے پر اصرار کرتا ہے، اور صنعت کو اعلی ٹیکنالوجی اور مصنوعات کے حل فراہم کرنے کے لیے پرعزم ہے۔ ہم خلوص دل سے آپ کی مشاورت اور تعاون کے منتظر ہیں۔


CVD SiC کوٹنگ کی بنیادی جسمانی خصوصیات:




SiC ایپی وصول کنندہ پیداوار کی دکانوں پر GaN:



سیمی کنڈکٹر چپ ایپیٹیکسی انڈسٹری چین کا جائزہ


ہاٹ ٹیگز: GaN on SiC epi susceptor, China, Manufacturer, Supplier, Factory, Customized, Buy, Advanced, Durable, Made in China
متعلقہ زمرہ
انکوائری بھیجیں۔
براہ کرم نیچے دیے گئے فارم میں بلا جھجھک اپنی انکوائری دیں۔ ہم آپ کو 24 گھنٹوں میں جواب دیں گے۔
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept