4H N-type SiC سبسٹریٹ

ویٹیک سیمی کنڈکٹر4H N-type SiC سبسٹریٹمصنوعات میں بہترین برقی، تھرمل اور مکینیکل خصوصیات ہیں، اس لیے اس پروڈکٹ کو سیمی کنڈکٹر آلات کی پروسیسنگ میں بڑے پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے جن کے لیے ہائی پاور، ہائی فریکوئنسی، اعلی درجہ حرارت اور اعلی وشوسنییتا کی ضرورت ہوتی ہے۔

4H N-type SiC کی بریک ڈاؤن الیکٹرک فیلڈ کی طاقت 2.2-3.0 MV/cm تک زیادہ ہے۔ اس پروڈکٹ کی خصوصیت چھوٹے آلات کی تیاری کو زیادہ وولٹیج کو سنبھالنے کی اجازت دیتی ہے، اس لیے ہمارا 4H N-type SiC سبسٹریٹ اکثر MOSFETs، Schottky اور JFETs بنانے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔

4H N-type SiC Wafer کی تھرمل چالکتا تقریباً 4.9 W/cm·K ہے، جو گرمی کو مؤثر طریقے سے ختم کرنے، گرمی کے جمع ہونے کو کم کرنے، ڈیوائس کی زندگی کو بڑھانے، اور ہائی پاور ڈینسٹی ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہے۔

مزید برآں، Vetek Semiconductor 4H N-type SiC Wafer اب بھی 600°C تک درجہ حرارت پر مستحکم الیکٹرانک کارکردگی رکھ سکتا ہے، اس لیے یہ اکثر اعلی درجہ حرارت کے سینسر بنانے کے لیے استعمال ہوتا ہے اور انتہائی ماحول کے لیے بہت موزوں ہے۔

این قسم کے سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پر سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل پرت کو بڑھا کر، سلکان کاربائیڈ ہوموپیٹاکسیل ویفر کو مزید پاور ڈیوائسز جیسا کہ SBD، MOSFET، IGBT، وغیرہ میں بنایا جا سکتا ہے، جو الیکٹرک گاڑیوں، ریل کی نقل و حمل، اعلی - پاور ٹرانسمیشن اور ٹرانسفارمیشن وغیرہ۔

Vetek Semiconductor صارفین کی ضروریات کو پورا کرنے کے لیے اعلی کرسٹل کوالٹی اور پروسیسنگ کے معیار کو جاری رکھے ہوئے ہے۔ فی الحال، 6 انچ اور 8 انچ دونوں مصنوعات دستیاب ہیں۔ 6 انچ اور 8 انچ SIC سبسٹریٹ کے بنیادی پروڈکٹ پیرامیٹرز درج ذیل ہیں:

6 lnch N-type SiC سبسٹریٹ بنیادی مصنوعات کی تفصیلات:

8 lnch N-type SiC سبسٹریٹ بنیادی مصنوعات کی تفصیلات:

4H N-type SiC سبسٹریٹ کا پتہ لگانے کا طریقہ اور اصطلاحات: